電容作為電路中的儲能元件，實際使用中并非理想狀態(tài)，存在能量損耗。損耗角正切值 (tanδ) 是衡量電容損耗的關(guān)鍵指標(biāo)，直接關(guān)系到電路性能，尤其在高頻和高精度應(yīng)用中。

電容損耗主要源于介質(zhì)損耗和等效串聯(lián)電阻 (ESR)。介質(zhì)損耗由電介質(zhì)材料在交變電場下的極化引起，ESR則來自電極材料、引線及電介質(zhì)電阻。tanδ 綜合反映了這兩種損耗，數(shù)值越大，損耗越高。

在高頻電路中，tanδ 增加會加劇電容阻抗隨頻率的變化，影響電路頻率響應(yīng)。在信號傳輸中，電容損耗會引起信號衰減，降低信號質(zhì)量。在功率電路中，損耗轉(zhuǎn)化為熱能導(dǎo)致器件升溫，影響電路可靠性。在精密測量中，電容損耗會引入誤差，降低測量精度。

因此，電路設(shè)計應(yīng)根據(jù)具體需求選擇合適電容，保證電路正常工作。對于高頻、高精度和功率應(yīng)用，選擇低 tanδ 值的電容至關(guān)重要。